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Vishay发布采用3.3mm平面封装低导通电阻的20V P沟道MOSFET(2026/6/21更新)
2012 年 11 月26 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件,在实现低导通电阻的同时,高度比通常的0.75mm还要低28%,同时保持相同的PCB布版样式。
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