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零件图片（仅供参考）
SQUN702E-T1_GE3
规格参数
  • 制造商产品型号：SQUN702E-T1_GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 和 P 沟道，共漏
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：40V，200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc），20A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，60 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A，3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC，14nC，30.2nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1474pF，1450pF，1302pF @ 20V，100V
  • 功率-最大值：48W（Tc），60W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
  • 封装：模具
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SQUN702E-T1_GE3
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询SQUN702E-T1_GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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