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零件图片（仅供参考）
SQM100N10-10-GE3
规格参数
  • Vishay威世半导体原厂型号：SQM100N10-10-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
  • 系列：自动， AEC-Q101， TrenchFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：185nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：375W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：TO-263
  • SQM100N10-10-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SQM100N10-10-GE3
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询SQM100N10-10-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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