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零件图片（仅供参考）
SQJ951EP-T1-GE3
规格参数
  • Vishay威世半导体原厂型号：SQJ951EP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
  • 系列：自动， AEC-Q101， TrenchFET
  • FET 类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 mOhm @ 7.5A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1680pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：56W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK SO-8 双
  • 供应商器件封装：PowerPAK SO-8 Dual
  • SQJ951EP-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SQJ951EP-T1-GE3
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
  • 产品应用分类：场效应管阵列
  • 点击此处查询SQJ951EP-T1-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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