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SQJ412EP-T1-GE3 零件图片（仅供参考）

SQJ412EP-T1-GE3
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SQJ412EP-T1-GE3 规格参数

  • Vishay威世半导体原厂型号：SQJ412EP-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  • 系列：TrenchFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.1 毫欧 @ 10.3A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：120nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5950pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：83W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK SO-8
  • 供应商器件封装：PowerPAK SO-8
  • SQJ412EP-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SQJ412EP-T1-GE3 基本参数：

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