SQJ264EP-T1_GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK SO-8 双）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SQJ264EP-T1_GE3

制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）

描述：AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc），54A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V，8.6 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10V，32nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 25V，2100pF @ 25V

功率-最大值：27W（Tc），48W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：PowerPAK SO-8 双

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基本参数：

电子零件型号：SQJ264EP-T1_GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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