SQJ262EP-T1_GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK SO-8 双）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SQJ262EP-T1_GE3

制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）

描述：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc），40A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V，23nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25V，1260pF @ 25V

功率-最大值：27W（Tc），48W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：PowerPAK SO-8 双

SQJ262EP-T1_GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SQJ262EP-T1_GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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