SQJ208EP-T1_GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK? SO-8 双）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SQJ208EP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C时电流-连续漏极(Id)：20A (Tc)，60A (Tc)

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.4 毫欧 @ 6A，10V，3.9 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA，2.4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC，75nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1700pF，3900pF @ 25V

功率-最大值：27W（Tc），48W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：PowerPAK? SO-8 双

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基本参数：

电子零件型号：SQJ208EP-T1_GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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