SQJ204EP-T1_GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：PowerPAK SO-8 双）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SQJ204EP-T1_GE3

制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）

描述：MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：12V

25°C时电流-连续漏极(Id)：20A (Tc)，60A (Tc)

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.3 毫欧 @ 4A，10V，3 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V，50nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 6V，3700pF @ 6V

功率-最大值：27W（Tc），48W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：PowerPAK SO-8 双

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基本参数：

电子零件型号：SQJ204EP-T1_GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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