SIZ998BDT-T1-GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SIZ998BDT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：TrenchFET? Gen IV

零件状态：有源

FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V，46.7nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 15V，2130pF @ 15V

功率-最大值：3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerPair?

SIZ998BDT-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SIZ998BDT-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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