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零件图片（仅供参考）
SIZ346DT-T1-GE3
规格参数
  • 制造商产品型号：SIZ346DT-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：PowerPAIR, TrenchFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A (Tc)，30A (Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28.5 毫欧 @ 10A，10V，11.5 毫欧 @ 14.4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A，2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5nC @ 4.5V，9nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 15V，650pF @ 15V
  • 功率-最大值：16W，16.7W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerWDFN
  • SIZ346DT-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SIZ346DT-T1-GE3
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询SIZ346DT-T1-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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