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规格参数
制造商产品型号:SIZ320DT-T1-GE3制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)描述:MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:PowerPAIR, TrenchFET零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):25V25°C时电流-连续漏极(Id):30A (Tc),40A (Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V功率-最大值:16.7W,31W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerWDFNSIZ320DT-T1-GE3,Vishay(威世)产品一站式供应商。
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