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SIS776DN-T1-GE3 零件图片（仅供参考）

SIS776DN-T1-GE3
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SIS776DN-T1-GE3 规格参数

  • 制造商产品型号：SIS776DN-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：SkyFET, TrenchFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 15V
  • FET功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），52W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerPAK 1212-8
  • SIS776DN-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SIS776DN-T1-GE3 基本参数：

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