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SIP41111DY-T1-E3 零件图片（仅供参考）

SIP41111DY-T1-E3
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SIP41111DY-T1-E3 规格参数

  • 制造商产品型号：SIP41111DY-T1-E3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：9V ~ 13.2V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：4V，7V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2A，2A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：75V
  • 上升/下降时间（典型值）：13ns，15ns
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • SIP41111DY-T1-E3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SIP41111DY-T1-E3 基本参数：

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