SIJA22DP-T1-GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK SO-8）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SIJA22DP-T1-GE3

制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）

描述：MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：TrenchFET

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

25°C时电流-连续漏极(Id)：64A（Ta），201A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.74 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：125nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6500pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：4.8W (Ta)，48W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerPAK SO-8

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基本参数：

电子零件型号：SIJA22DP-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SIJA22DP-T1-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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