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SIHG30N60E-E3 零件图片（仅供参考）

SIHG30N60E-E3
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SIHG30N60E-E3 规格参数

  • 制造商产品型号：SIHG30N60E-E3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247AC
  • SIHG30N60E-E3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SIHG30N60E-E3 基本参数：

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