SIA108DJ-T1-GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单）

专注Vishay（威世）产品销售十多年，服务全国数百家制造企业及科研院校，只为成为您所值得信赖的供应商！

Vishay

Vishay代理商全球库存查询及产品技术资料下载

我们为全球各个行业提供Vishay（威世） SIA108DJ-T1-GE3及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SIA108DJ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：TrenchFET? Gen IV

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Ta），12A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 4A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：545pF @ 40V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单

SIA108DJ-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SIA108DJ-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SIA108DJ-T1-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

全球现货资源整合，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

Vishay（威世）被热门搜索和购买的相关器件型号

晶闸管 - SCR - 模块

共模扼流圈

二极管 - 齐纳 - 单

二极管 - 齐纳 - 单

TVS - 二极管

固定电感器

Vishay（威世）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价

从分立式半导体到被动组件，从体积最小的二极管到最强大的电容器，Vishay（威世）是世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一

Vishay代理商现货库存处理专家 - Vishay全系列产品订货 - Vishay公司（威世）实时全球现货库存查询