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零件图片（仅供参考）
SI8451DB-T2-E1
规格参数
  • 制造商产品型号：SI8451DB-T2-E1
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：750pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.77W（Ta），13W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-Micro Foot（1.5x1）
  • SI8451DB-T2-E1，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SI8451DB-T2-E1
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询SI8451DB-T2-E1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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