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SI7962DP-T1-E3 零件图片（仅供参考）

SI7962DP-T1-E3
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SI7962DP-T1-E3 规格参数

  • 制造商产品型号：SI7962DP-T1-E3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.1A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 11.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.4W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：PowerPAK SO-8 双
  • SI7962DP-T1-E3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SI7962DP-T1-E3 基本参数：

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