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SI6463BDQ-T1-E3 零件图片（仅供参考）

SI6463BDQ-T1-E3
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SI6463BDQ-T1-E3 规格参数

  • 制造商产品型号：SI6463BDQ-T1-E3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.2A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-TSSOP
  • SI6463BDQ-T1-E3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SI6463BDQ-T1-E3 基本参数：

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