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零件图片（仅供参考）
SI5858DU-T1-GE3
规格参数
  • 制造商产品型号：SI5858DU-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：LITTLE FOOT
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 4.4A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 10V
  • FET功能：肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），8.3W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerPAK ChipFet 双
  • SI5858DU-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SI5858DU-T1-GE3
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询SI5858DU-T1-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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