SI5853DDC-T1-E3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：1206-8 ChipFET?）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SI5853DDC-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：LITTLE FOOT?

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 2.9A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 8V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 10V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta），3.1W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：1206-8 ChipFET?

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基本参数：

电子零件型号：SI5853DDC-T1-E3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SI5853DDC-T1-E3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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