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SI5519DU-T1-GE3 零件图片（仅供参考）

SI5519DU-T1-GE3
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SI5519DU-T1-GE3 规格参数

  • 型号:SI5519DU-T1-GE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:PowerPAK ChipFet 双
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 6.1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:10.4W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PowerPAK CHIPFET 双
  • 供应商器件封装:PowerPAK ChipFet 双
  • SI5519DU-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SI5519DU-T1-GE3 基本参数：

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