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SI5509DC-T1-GE3 零件图片（仅供参考）

SI5509DC-T1-GE3
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SI5509DC-T1-GE3 规格参数

  • 制造商产品型号：SI5509DC-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.1A，4.8A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.6nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：455pF @ 10V
  • 功率-最大值：4.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SMD，扁平引线
  • SI5509DC-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SI5509DC-T1-GE3 基本参数：

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