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SI5475BDC-T1-GE3 零件图片（仅供参考）

SI5475BDC-T1-GE3
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SI5475BDC-T1-GE3 规格参数

  • 制造商产品型号：SI5475BDC-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5.6A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），6.3W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：1206-8 ChipFET
  • SI5475BDC-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SI5475BDC-T1-GE3 基本参数：

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