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SI2312BDS-T1-BE3 零件图片（仅供参考）

SI2312BDS-T1-BE3
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SI2312BDS-T1-BE3 规格参数

  • 型号:SI2312BDS-T1-BE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:SOT-23-3（TO-236）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:850mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • SI2312BDS-T1-BE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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SI2312BDS-T1-BE3 基本参数：

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