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MXPQ120A045SE-1GE3 零件图片（仅供参考）

MXPQ120A045SE-1GE3
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MXPQ120A045SE-1GE3 规格参数

  • 型号:MXPQ120A045SE-1GE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:D2PAK-7L（TO-263 7L）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC FET, AUTO-GRADE, 1200V, 45M,
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 26A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2483 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:268W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:D2PAK-7L（TO-263 7L）
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
  • MXPQ120A045SE-1GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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MXPQ120A045SE-1GE3 基本参数：

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